Giải pháp xử lý bề mặt vật liệu bán dẫn Gali Arsenua (GaAs)

Sự phát triển của các công nghệ mới diễn ra nhanh chóng và ngành công nghiệp bán dẫn phải cố gắng theo kịp. Họ cần liên tục cải thiện mức tiêu thụ điện năng và tản nhiệt trong khi vẫn tiết kiệm chi phí. Chúng tôi cung cấp các giải pháp tùy chỉnh cho công nghệ xử lý bề mặt có độ chính xác cao của tấm bán dẫn và chất nền giúp bạn thiết lập tốc độ.

Gallium Arsenide là hợp chất của các nguyên tố Gallium và Arsenide. Số nguyên tử của Gallium là 31 và nó thuộc nhóm thứ III và số nguyên tử của Arsenide là 33 và nó thuộc nhóm thứ V. 

GaAs và Silicon có cấu trúc tinh thể tương tự nhau. Gali không được tìm thấy tự nhiên, nhưng nó được tìm thấy trong bauxite và kẽm. Asenua được tìm thấy trong nhiều khoáng chất như lưu huỳnh và nó độc hại. Nó được sử dụng như một chất tăng cường trong hợp kim.

Gali Arsenua (công thức hóa học GaAs) là một hợp chất bán dẫn được sử dụng trong một số đi-ốt , bóng bán dẫn hiệu ứng trường (FET) và mạch tích hợp (IC). Các hạt mang điện, chủ yếu là electron s, di chuyển với tốc độ cao giữa các nguyên tử s. Điều này làm cho các thành phần GaAs hữu ích ở tần số vô tuyến siêu cao và trong các ứng dụng chuyển mạch điện tử nhanh. Các thiết bị GaAs tạo ra ít tiếng ồn hơn hầu hết các loại linh kiện bán dẫn khác. Điều này rất quan trọng trong khuếch đại tín hiệu yếu.

What are Gallium Arsenide? - Energy Theory

Tìm hiểu về vật liệu bán dẫn Gali Arsenua trong ngành công nghiệp chất bán dẫn

Gali Arsenua được sử dụng trong sản xuất đi-ốt phát quang (đèn LED), được tìm thấy trong các hệ thống điều khiển và thông tin quang học. Gallium Arsenide có thể thay thế silicon trong sản xuất IC tuyến tính và IC kỹ thuật số . Các thiết bị tuyến tính (còn gọi là tương tự) bao gồm bộ tạo dao động và bộ khuếch đại . Các thiết bị kỹ thuật số được sử dụng để chuyển mạch điện tử, cũng như trong các hệ thống máy tính.

Ưu điểm của Gallium Arsenide là tính di động của điện tử cao hơn 30% so với silicon, hiệu suất cao hơn, khả năng chịu nhiệt và độ ẩm tốt hơn, khoảng cách dải trực tiếp và điện áp đánh thủng cao. Vì vậy, nó được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng tần số cao. Nhưng silicon rẻ hơn nhiều so với các thiết bị Gallium Arsenide nên chỉ trong các ứng dụng đặc biệt như công nghệ hàng không vũ trụ, thiết bị y tế, pin mặt trời GaAs mới được sử dụng.

Do có dải rộng nên GaAs tinh khiết có điện trở suất cao. Kết hợp với hằng số điện môi cao, đặc tính này làm cho GaAs trở thành một chất nền điện rất tốt và không giống như Si mang lại sự cách ly tự nhiên giữa các thiết bị và mạch điện. Điều này đã làm cho nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các mạch tích hợp vi ba và sóng milimet, MMIC, nơi các thành phần thụ động chủ động và thiết yếu có thể dễ dàng được sản xuất trên một lát GaAs.

Emergence Of GaAs Devices As A Substitute To Silicon

Lỗi có thể gặp ở thiết bị bán dẫn Gali Arsenua

Trong các thiết bị GaAs có thể xảy ra ở các bề mặt và giao diện, trong lớp nền hoặc lớp hoạt động, tại các tiếp điểm Schottky và ohmic, cũng như do EM và hư hỏng do ăn mòn của quá trình kim loại hóa. Ba hiệu ứng suy giảm tiếp xúc chính bao gồm:

  • Khuếch tán dài hạn trong các cấu trúc bánh sandwich kim loại
  • Di chuyển kim loại do điện trường gây ra giữa các điện cực lân cận có khoảng cách gần nhau
  • Xuất hiện sự di chuyển kim loại qua các dây dẫn hẹp mang mật độ dòng điện lớn

Hiệu suất và độ tin cậy của các thiết bị GaAs bị ảnh hưởng bởi sự hiện diện của các khuyết tật tinh thể (sự lệch vị trí, kết tủa, khuyết tật điểm, v.v.) có nguồn gốc hoặc được tạo ra trong quá trình xử lý công nghệ. Sự lệch vị trí và tương tác ma trận tinh thể thường gây ra các khuyết tật hình thành bầu khí quyển Cottrell, làm tăng tính không đồng nhất của tinh thể ở quy mô vi mô.

Vấn đề cần xử lí

Vì là vật liệu quan trọng trong nền công nghiệp bán dẫn nên việc bảo trì, xử lí lỗi ở thiết bị bán dẫn Gali Arsenua cần được thực hiện định kỳ để đảm bảo hiệu quả tốt nhất.

Để xử lí các lỗi ở trên, thì sử dụng máy đánh bóng wafer để làm bóng bề của thiết bị, rủ bỏ lớp bụi trên bề mặt để cải thiện lỗi nhằm giúp quá trình truyền dẫn của thiết bị bán dẫn Gali Arsenua diễn ra tốt hơn

GaAs Wafer | Advantages of Gallium Arsenide

Tư vấn đánh bóng thiết bị bán dẫn Gali Arsenua

Các hệ thống in thạch bản bán dẫn, không thể thiếu đối với sản xuất chất bán dẫn, sử dụng thấu kính hiệu suất cực cao để giảm các mẫu mạch cực kỳ phức tạp được vẽ trên mặt nạ quang làm bằng một tấm thủy tinh lớn, để chúng có thể được in lên các tấm Gali Arsenua

Nếu thậm chí một hạt bụi nhỏ lọt vào thấu kính hoặc tấm wafer trong khi đang chế tạo một chất bán dẫn đòi hỏi quá trình xử lý cực kỳ tinh xảo ở cấp độ nanomet, thì không thể khắc mạch một cách chính xác. Do đó, cần phải sử dụng phòng sạch, nơi bụi bẩn có thể giảm đến mức tối thiểu. Người lao động trong môi trường phòng sạch cần mặc quần áo bảo hộ toàn thân để ngăn bụi hoặc các hạt lạ khác xâm nhập vào thiết bị.

Máy mài mẫu độ chính xác cao MetPrep 3, 8" và 10" Máy mài mẫu độ chính xác cao
Vải đánh bóng mẫu – Sợi len – Imperial Vải đánh bóng mẫu
Dung dịch đánh bóng Colloidal Silica công thức không dính Dung dịch đánh bóng / Bột đánh bóng
Đá mài, bánh mài Silicon Carbide và nhôm Oxide - Grinding Stone Đá mài, bánh mài

Tuỳ vào kích thước và số lượng của thiết bị bán dẫn Gali Arsenua mà có thể chọn thiết bị vật tư sao cho phù hợp. Để được tư vấn chính xác nhất, bạn vui lòng liên hệ cho chúng tôi theo thông bên dưới

Công Ty TNHH Đầu Tư Quận Tân Bình, TPHCM, Việt Nam

Điện thoại: 028 3977 8Phát Triển Cuộc Sống

Địa chỉ: 487 Cộng Hòa, Phường 15, 269 / 028 3601 6797

Di động: 0906 988 447

Email: sales@lidinco.com

0 0 đánh giá
Đánh giá bài viết
Theo dõi
Thông báo của
guest
0 Góp ý
Phản hồi nội tuyến
Xem tất cả bình luận
0
Rất thích suy nghĩ của bạn, hãy bình luận.x